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年4月11日东微半导（）发布公告称：西部电子徐煜、常春藤资产程熙云、申万菱信基金卜忠林、北京市星石投资管理有限公司徐星宇、天虫资本陈飞、东方证券朱凌昊、国泰产险曲南、海富通基金王经纬、中信资管赵兵兵于年3月29日调研我司。

本次调研主要内容：

问：请简单介绍下公司的基本情况.

答：公司是以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体企业，产品专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件与工艺创新能力，集中优势资源聚焦新型功率器件的开发，是一家具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司。公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET以及超级硅MOSFET、Tri-gateIGBT等产品。同时，公司不断进行技术创新，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。

问：公司TGBT产品与IGBT是否完全不同,请具体介绍公司产品在工艺,结构,下游应用方面以及公司下游导入的方向?

答：严谨来讲，TGBT是一种新型结构的IGBT，是基于公司自研专利的创新型器件结构定义的一种IGBT器件。公司依靠对器件结构设计的创新，实现了关键技术参数的优化。东微量产的新一代IGBT产品主要应用在光伏逆变、储能、充电桩模块等领域。

问：TGBT产品的创新在哪里?

答：TGBT是一种新型结构的IGBT，实现了关键技术参数的大幅优化，具有电流密度大、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。

问：公司是否考虑布局氮化镓领域?

答：东微在该领域有一定的技术积累和经验，同时也在积极